隨著人工智能（AI）浪潮席卷，全球半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)似乎變得越來(lái)越激烈。不過(guò)在晶圓代工領(lǐng)域，臺(tái)積電（TSMC）依然遙遙領(lǐng)先，統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示其今年第二季度的營(yíng)收為208.2億美元，市場(chǎng)占有率達(dá)到了62.3%，遠(yuǎn)高于三星的38.3億美元營(yíng)收及11.5%的市場(chǎng)占有率。
據(jù)TrendForce報(bào)道，三星的主要業(yè)務(wù)產(chǎn)品線最近的表現(xiàn)低于預(yù)期，存儲(chǔ)器和智能手機(jī)部門在開發(fā)和生產(chǎn)上都遇到了一些問(wèn)題。為了扭轉(zhuǎn)不利局面，三星正在尋求合作，考慮將部分訂單外包，合作的對(duì)象包括了臺(tái)積電和聯(lián)發(fā)科。
其中很重要一個(gè)原因，就是三星在生產(chǎn)上遇到了良品率問(wèn)題。由于Exynos 2500的良品率一直未能提升，明年的Galaxy S25系列很可能放棄雙平臺(tái)戰(zhàn)略，選擇讓高通第四代驍龍8獨(dú)占。良品率這一點(diǎn)不僅體現(xiàn)在SoC，近期還傳出Galaxy S25系列所使用的1β (b) nm LPDDR樣品也由于良品率不佳，無(wú)法提供必要的數(shù)量，從而出現(xiàn)交付延誤。
本月初三星就與臺(tái)積電達(dá)成了協(xié)議，合作開發(fā)“無(wú)緩沖HBM4”，屬于HBM4的一種特殊版本，取消了用于分配電壓和防止電氣問(wèn)題的緩沖器。按照三星的說(shuō)法，這是為了在HBM領(lǐng)域取得進(jìn)展，所以選擇與各個(gè)代工廠合作，準(zhǔn)備了20多種定制解決方案。或許接下來(lái)，三星的存儲(chǔ)器和智能手機(jī)部門將擴(kuò)大與臺(tái)積電的合作。
有消息稱，三星還在與聯(lián)發(fā)科進(jìn)行談判，不知道最后天璣芯片是否能出現(xiàn)在明年的Galaxy旗艦機(jī)型上。