界2024年5月11日消息，據國家知識產權局公告，三星電子株式會社申請一項名為“用于CMOS圖像傳感器的像素單元“，公開號CN118016682A，申請日期為2023年11月。
專利摘要顯示，一種用于CMOS圖像傳感器的像素單元包括將像素晶體管區域與像素光電二極管區域隔離的隔離結構。在圖像傳感器的前側處，隔離結構包括第一淺溝槽隔離(STI)結構、第二STI結構、在第一STI結構和第二STI結構之間的半導體區域以及由p型半導體形成的注入區域，該注入區域與半導體區域接觸并朝向圖像傳感器的背側延伸。半導體區域由第一類型半導體形成。在圖像傳感器的背側處，隔離結構包括從背側朝向前側延伸并接觸注入區域的溝槽隔離結構。